發表論文
我們以開放和協作的方式與世界各地的優秀大學、研究中心和工業合作伙伴合作。 到目前為止,我們已經開發了各種定制的 GaN 外延結構,以滿足我們客戶和合作伙伴的特定設計。 可以在此處列出的出版物中找到更多詳細信息。想與我們討論您的想法嗎?聯系郵箱:info@enkris.com。
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Trap behaviours characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by room-temperature transient capacitance measurement
BinDong,JieLin,NingWang,Ling-liJiang,Zong-daiLiu,XiaoyanHu,KaiCheng,andHong-yuYu
AIP Advances 6, 095021 (2016)
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Characterization of trap behaviors in AlGaN/GaN MIS-HEMT via transient capacitance measurement
BinDong,JieLin,NingWang,Ling-liJiang,Zong-daiLiu,KaiCheng,Hong-yuYu
2016 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT)
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