中國半導體專家蘇州晶湛半導體有限公司通過利用AIXTRON 愛思強反應器，成功在200 毫米的硅基（硅基氮化鎵）上生產高壓氮化鎵HEMT（高電子遷移率晶體管）結構材料。

        硅基氮化鎵電源設備憑借其在功率器件的潛在應用，最近引起了學術界和業界的廣泛關注。由于硅芯片上異質外延生長氮化鎵技術存在缺陷干擾性，所以硅基氮化鎵電源設備具有高緩沖漏電問題。最近，晶湛半導體在200 毫米的硅基上制造出高壓氮化鎵HEMT 材料，該材料具有良好的均勻性和低緩沖漏電性能，以及<0.5 %的理想厚度均勻性（不排除邊緣區域）。在特殊條件下，可實現均勻值的進一步改善。

圖1：200 毫米硅基氮化鎵晶圓的厚度均勻圖像。

        晶湛半導體的聯合創始人Cheng Kai 博士表示：“大尺寸的硅基氮化鎵已被公認為實現氮化鎵電源設備大批量生產的最具成本效益的方法。然而，迄今為止，翹曲度大的晶圓加上高緩沖漏電妨礙了硅基氮化鎵技術的進一步發展。我們對200 毫米硅基板的處理顯示了低漏電的高擊穿電壓（低于1600 伏）氮化鎵電源設備可在4 微米相對較薄的緩沖層實現。它們簡化了生成過程，盡可能降低了晶圓的翹曲度，并能顯著減少外延片成本。采用我們基于AIXTRON 愛思強系統的流程后，硅基氮化鎵器件或許在不久之后就能實現更高壓的性能?！?/p>

圖2：目前裝在200 毫米硅基氮化鎵晶圓上的器件漏電分析。